BLOG KULIAH

Ground atau arde pada instalasi listrik berguna sebagai pencegah terjadinya kontak antara makhluk hidup dengan tegangan listrik yang terekspos akibat terjadi kegagalan isolasi.

2. Bahan

- Transistor NPN

Spesifikasi

* Transistor Type : NPN

* Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) : 45 V

* Current- Collector (Ic) (Max) : 100mA

* Power – Max : 625 mW

* DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 110 @ 2mA, 5V

* Vce Saturation (Max) @ Ib Ic : 300mV, @ 5mA, 100mA

* Frequency – Transition : 300MHz

* Current- Collector Cutoff (Max) : -

* Mounting Type : Through Hole

* Package / Case : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

* Packaging : Tape & Box (TB

* Lead Free Status : Lead Free

* RoHs Status : RoHs Compliant

Konfigurasi Pin

* Emitter

* Base

* Colector

- Transistor PNP

Spesifikasi

TO−220 Compact Package

2N6017 is a PNP power transistor

VCBO Collector Base Voltage 80 Vdc

VCEO Collector Emitter Voltage 70 Vdc

VEB Emitter−Base Voltage 5V Vdc

Maximum Base Current IB 3.0 A

Collector Current − Continuous IC 7.0 A

Collector Current − Peak ICM 10 A

Total Power Dissipation PD - 40 W

High DC Current Gain

High Current Gain − Bandwidth Product

Konfigurasi Pin

* Emitter

* Base

* Colector

3. Dasar Teori

3.3 Transistor Operation

Operasi transistor akan dijelaskan menggunakan pnp transistor. Pnp adalah positif negatif positif, transistor tipe pnp akan mengalirkan arus positif ke emitter ke kolektor (emitter sebagai input dan kolektor sebagai output) jika kaki basisnya diberi arus negatif.

Gambar pnp transistor

Menerapkan hukum kirchhoff dapat disimpulkan:

I_E= I_C + I_B

Arus kolektor terdiri dari dua komponen pembawa mayoritas dan minoritas. Komponen minoritas disebut kebocoran arus dan diberi simbol I_CO(I_C dengan arus terminal emitor Open). Oleh karena itu diperoleh persamaan:

I_C= I_C
mayoritas+ I_{CO minoritas}

Untuk transistor tujuan umum, I_Cdiukur dalam miliampere, sedangkan I_COdiukur dalam mikroampere atau nanoampere.

3.4 Common-Base Configuration

Konfigurasi Common Base (CB) atau Basis Bersama adalah konfigurasi yang kaki Basis-nya di-ground-kan dan digunakan bersama untuk input maupun output. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal input dimasukan ke emitor dan sinyal output-nya diambil dari kolektor, sedangkan kaki Basis-nya di-ground-kan. Oleh karena itu, Common Base juga sering disebut dengan istilah “Grounded Base”. Pada konfigurasi basis umum, emitor adalah terminal input, kolektor adalah terminal output dan terminal dasar terhubung sebagai terminal umum untuk input dan output. Itu berarti terminal emitor dan terminal pangkalan umum dikenal sebagai terminal input sedangkan terminal kolektor dan terminal pangkalan umum dikenal sebagai terminal output.

Konfigurasi common-base dicirikan memiliki input yang relatif rendah dan impedansi output yang tinggi dan penguatan arus kurang dari 1. Namun, capaian tegangan bisa menjadi sangat besar. Transistor impedansi keluaran Ro tidak termasuk untuk konfigurasi common-base karena biasanya dalam kisaran megohm dan dapat diabaikan secara paralel dengan resistor RC.

Fakta bahwa Av adalah angka positif menunjukkan bahwa Vo dan Vi berada dalam fase untuk konfigurasi common-base.

Contoh:

Example 3.1

(a). Dengan menggunakan karakteristik Gambar 3.8, tentukan arus kolektor yang dihasilkan jika IE =3 mA dan VCB =10 V

(b). Dengan menggunakan karakteristik Gambar 3.8, tentukan arus kolektor yang dihasilkan jika IE tetap pada 3 mA tetapi VCB dikurangi menjadi 2 V.

(c). Menggunakan karakteristik Gambar. 3.7 dan 3.8, tentukan VBE jika IC 4 mA dan VCB 20 V.

(d). Ulangi bagian (c) menggunakan karakteristik Gambar. 3.8 dan 3.10c.

Penyelesaian

(a). Ciri-ciri tersebut jelas menunjukkan bahwa IC = IE 3 mA.

(b). Efek dari perubahan VCB dapat diabaikan dan IC terus menjadi 3 mA.

(c). Dari Gambar 3.8, IE = IC = 4 mA. Pada Gambar 3.7, level VBE yang dihasilkan adalah sekitar 0,74 V.

(d). Sekali lagi dari Gambar 3.8, IE = IC = 4 mA. Namun, pada Gambar 3.10c, VBE adalah 0,7 V untuk semua tingkat arus emitor.

Problem

3.2

2. Apa perbedaan utama antara bipolar dan perangkat unipolar?

Bipolar ,Unipolar

BJT adalah perangkat bipolar, di mana ada aliran pembawa mayoritas dan minoritas.

FET adalah perangkat unipolar, di mana hanya mayoritas pembawa mengalir.

Kontrol

BJT adalah perangkat yang dikendalikan saat ini.

FET adalah perangkat yang dikontrol tegangan.

Penggunaan

FET digunakan lebih sering daripada BJTs dalam elektronik modern.

Terminal Transistor

Terminal aBJT disebut emitor, basis, dan kolektor

Terminal suatu FET disebut sumber, biji-bijian, dan gerbang.

Impedansi

FET memiliki impedansi input yang lebih tinggi dibandingkan denganBJT. Oleh karena itu, FET menghasilkan keuntungan yang lebih besar.

3.3

4. Apa sumber arus bocor pada transistor?

Jawab :

Arus (I_CBO) adalah arus bocor dari kolektor basis pada saat transistor dalam keadaan OFF. Idealnya arus ini harus sama dengan Nol. Sedangkan arus bocor emitor basis (I_EBO) pada V_EB = 5V untuk NPN dan V_EB = -5V pada PNP saat I_c = 0 atau kolektor terbuka adalah 10 mikroAmpere untuk NPN dan -10 mikroAmpere untuk PNP.