Sabtu, 06 Februari 2021

SUB CHAPTER 5.4


1. Tujuan 

- Untuk menyelesaikan tugas matakuliah elektronika yang diberikan oleh Bapak Dr. Darwison,M.T.

- Untuk memahami materi tentang transistor JFET

- Untuk mengetahui spesifikasi JFET

2. Alat dan Bahan

a. Alat

- voltmeter dc

Hasil gambar untuk voltmeter  

Berfungsi untuk mengukur besar tegangan pada rangkaian

 

- Ampermeter

Hasil gambar untuk ampermeter 

Berfungsi untuk mengukur kuat arus pada rangkaian

- Baterai 12V

Hasil gambar untuk BATERAI 12V 

Berfungsi sebagai sumber tegangan pada rangkaian

b. Bahan

- Transistor JFET

Hasil gambar untuk j109 jfet 

Spesifikasi




- POT HG

3296 Potentiometer Pinout 

Spesifikasi



 - LED

LED Pinout 

Spesifikasi



- Resistor

Hasil gambar untuk resistor 

Spesifikasi

3. Dasar Teori

5.4 Lembar Spesifikasi JFET

Secara umum, sebuah lembar spesifikasi terdiri dari skala maksimum, karakteristik listrik, konstruksi kasus dan identifikasi terminal, dan yang terakhir yaitu wilayah operasi. Berikut adalah contoh lembar spesifikasi dari JFET 2N5457 n-channel yang disediakan motorola.

 

Gambar 5.18

1. Skala Maksimum

Daftar skala maksimum biasanya muncul di awal lembar spesifikasi, dengan tegangan maksimum antara terminal tertentu, level arus maksimum, dan tingkat disipasi daya maksimum perangkat. Tingkat maksimum yang ditentukan untuk VDS dan VDG tidak boleh dilampaui di titik mana pun dalam operasi desain perangkat. VDD sumber yang diterapkan dapat melebihi level ini, tetapi level voltase sebenarnya antara terminal ini tidak boleh melebihi level yang ditentukan. 

Pembuangan total perangkat pada 25 ° C (suhu ruangan) adalah daya maksimum perangkat dapat menghilang dalam kondisi pengoperasian normal dan ditentukan oleh

Perhatikan kesamaan format dengan persamaan disipasi daya maksimum untuk Transistor BJT. Faktor penurunan nilai dibahas secara rinci di Bab 3, tetapi untuk saat ini kenali bahwa peringkat 2,82 mW / ° C menunjukkan bahwa peringkat disipasi menurun 2,82 mW untuk setiap kenaikan suhu 1 ° C di atas 25 ° C.

2. Karakteristik Listrik

Karakteristik kelistrikan meliputi level VP dalam karakteristik off dan IDSS di  karakteristik on. Dalam hal ini VP VGS (off) memiliki range dari 0,5 hingga 6,0 V dan IDSS dari 1 hingga 5 mA. Fakta bahwa keduanya akan berbeda perangkat ke perangkat dengan identifikasi pelat nama yang sama harus dipertimbangkan di proses desain. 

3. Konstruksi Kasus dan Identifikasi Terminal

JFET khusus ini memiliki tampilan yang disediakan pada lembar spesifikasi Gambar. 5.18. Identifikasi terminal juga disediakan langsung di bawah gambar. JFET adalah juga tersedia dalam wadah tutup atas, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 5.19 dengan identifikasi terminalnya.


Gambar 5.19

4. Wilayah Operasi

 

 
Lembar spesifikasi dan kurva yang ditentukan oleh level pinch-off di setiap level VGS menentukan wilayah operasi untuk amplifikasi linier pada karakteristik saluran seperti yang ditunjukkan pada Gambar 5.20. Wilayah ohmik menentukan nilai minimum yang diizinkan VDS di setiap level VGS, dan VDSmax menentukan nilai maksimum untuk parameter ini. IDSS arus saturasi adalah arus drain maksimum, dan maksimum tingkat disipasi daya menentukan kurva yang digambar dengan cara yang sama seperti yang dijelaskan untuk Transistor BJT. Daerah berbayang yang dihasilkan adalah daerah operasi normal untuk amplifier rancangan.

Problem

24. Dalam hal apa konstruksi MOSFET tipe deplesi mirip dengan JFET? 

Jawab:

Yaitu pada saat tegangan positip VDS akan menarik elektron bebas pada kanal-N dari source menuju drain, sehingga mengalir arus ID. Hal ini sama seperti pada JFET. Bila VDS diperbesar hingga mencapai Vp, maka arus ID akan jenuh (tidak naik lagi) yang disebut dengan IDSS.

25. Mengapa penerapan tegangan positif ke gerbang saluran-n MOSFET tipe deplesi akan mengakibatkan arus drain melebihi IDSS?  

Jawab:

Karena pada daerah linear, pada awalnya gerbang diberi tegangan hingga terbentuk saluran. Apabila drain diberi tegangan yang kecil, maka elektron akan mengalir dari source menuju drain atau arus akan mengalir dari drain ke source. Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu tahanan, sehingga arus drain (ID) akan sebanding dengan tegangan drain. 

Pilihan ganda

1. MOSFET singkatan dari

a. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Technology

b. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transmiter

c. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

d. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transformator

Jawaban: c

2. JFET dapat berfungsi sebagai "switch" yang artinya adalah

a. Sensor

b. Penguat

c. Bias

d. Saklar

Jawaban: d

4. Rangkaian


Ketika tegangan antara gate dan source bernilai 0


Ketika tegangan antara gate dan source bernilai negatif 

5. Video

Materi

 

Rangkaian

6. Link Download

- Download file rangkaian klik disini

- Download video materi  klik disini

- Download video rangkaian klik disini

- Download datasheet resistor klik disini

- Download datasheet led klik disini

- Download datasheet pot hg klik disini

- Download datasheet JFET n-channel klik disini

 

 


 

Tidak ada komentar:

Posting Komentar

  Tugas besar UP UC [menuju akhir] [KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Tujuan 2. Alat dan bahan 3. Dasar teori 4. Prinsip kerja 5. Ga...